Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.9 left arrow 13
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 9.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 43
    Около -54% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 13.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 9.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2506 left arrow 2586
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения