RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3784
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link