RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3052
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link