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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
15.9
写入速度,GB/s
9.6
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3052
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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