RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2907
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link