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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
14.9
15.9
写入速度,GB/s
9.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2907
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
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