Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 43

Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 31
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 17.7
Скорость записи, Гб/сек

9.6 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 3482

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB

модули RAM

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

Kingston 9905712-009.A00G 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

модули RAM