RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3876
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link