RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
67
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
67
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2030
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B5170EH1-CF8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link