RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
67
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
67
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2030
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link