RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Panram International Corporation M424051 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424051 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
97
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
97
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
11.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
1270
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link