RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Kingston 9905744-035.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
60
Около -13% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
53
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2574
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link