RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
40
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3127
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link