RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2180
3260
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link