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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
総合得点
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
25
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
12.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
23
読み出し速度、GB/s
12.5
17.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
14.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2180
3260
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0 ns
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