RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
40
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3127
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link