Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 43
    Около -39% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.3 left arrow 14.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.8 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 16.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 12.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2506 left arrow 3084
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения