RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
74
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
74
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
1616
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link