RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
126
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.5
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
126
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
12.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1108
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link