RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2238
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link