RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
60
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2554
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link