RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
60
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
60
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2554
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link