RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
83
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
83
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1663
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link