RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
59
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3089
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link