RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
63
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
63
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1863
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link