RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2499
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link