RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 38
    周辺 8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 13
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 2499

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAMの比較

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
メモリRAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
メモリRAM