RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2938
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link