RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
59
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
48
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
10.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1858
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link