RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
59
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2902
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link