RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
59
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2902
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link