RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
59
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2725
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link