RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,123.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
59
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,833.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,123.3
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
731
2725
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link