RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
59
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2058
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link