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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
59
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
41
读取速度,GB/s
4,833.8
11.7
写入速度,GB/s
2,123.3
9.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2058
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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