RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
59
Около -84% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2399
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link