RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
59
Около -55% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2942
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link