RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2942
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link