RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
59
Около -195% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3593
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link