RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
59
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2469
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link