RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около -119% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3040
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link