Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 19.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 59
    Wokół strony -119% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    59 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,833.8 left arrow 19.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,123.3 left arrow 14.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    731 left arrow 3040
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania