RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3040
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link