RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
4015
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link