RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
59
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2942
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Mushkin 996902 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link