RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
59
Около -127% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2880
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link