RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
10.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2327
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link