RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2542
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link