RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2542
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link