RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
59
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
42
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2074
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link