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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
59
左右 -40% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
42
读取速度,GB/s
4,833.8
14.3
写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2074
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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